-
-
磁随机存储器(MRAM)利用磁化方向存储信息,兼具非易失性、高速度和高耐久性,是新一代信息存储的重要发展方向。其中,自旋-轨道力矩(SOT)利用强自旋轨道耦合材料高效产生自旋流,实现了读写解耦的磁矩操控,是推动MRAM向更低写入功耗、更高运行速度演进的核心技术。然而,现有SOT-MRAM仍需要较大的写入电流密度,不仅导致严重的焦耳发热,更限制了器件尺寸的进一步微缩与高密度集成,成为制约其发展的关键瓶颈。针对这一瓶颈,宁波东方理工大学讲席教授、材料科学与工程学院院长李润伟团队长期致力于高效SOT材料与器件研究。团队依托原位超高真空脉冲激光沉积-角分辨光电子能谱(PLD-ARPES)联合系统,在金属氧化物体系中揭示了一系列可诱导高效SOT的新奇微观电子态,并发现了轨道流输运的反常标度规律,为大幅降低SOT器件功耗奠定了材料与物理基础(Nat. Mater. 2025,24,1749; Nat. Mater. 2016,15,835; PNAS 2014,111,3933; Adv. Mater. 2021,33, 2101316; Adv. Funct. Mater. 2025,35, 2
2026/04/28
More
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-